AUIRFR120Z

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

460 руб.

от 2 шт. — 360 руб.

от 5 шт. — 285 руб.

от 10 шт. — 259.56 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.

Номенклатурный номер: 8002014431

Электроэлемент

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 8,7А; 35Вт; DPAK

Category	Discrete Semiconductor Products
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.7A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Family	FETs-Single
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	310pF @ 25V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging	Tube
PCN Assembly/Origin	AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013
Power - Max	35W
Product Training Modules	High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 5.2A, 10V
Series	HEXFET®
Standard Package	75
Supplier Device Package	D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Вес, г	0.36

pdf, 309 КБ

Мы рекомендуем