AUIRFR2407TRL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
760 руб.
от 100 шт. —
586 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 360 руб.
Описание
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
Техническая документация
Datasheet AUIRFR2407TRL
pdf, 552 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
