AUIRFZ24NS, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 17 А, 0.07 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
560 руб.
от 100 шт. —
413 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 150 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 12А, 45Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 70 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 370 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 34 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.9 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 45W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 10A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D-PAK(TO-252AA) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet AUIRFZ24NS
pdf, 637 КБ
Datasheet AUIRFZ24NSTRL
pdf, 642 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
