Мой регион: Россия

AUIRFZ34N, MOSFET N-CHANNEL 55V 29A TO220AB

Ном. номер: 8486285845
PartNumber: AUIRFZ34N
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 AUIRFZ34N, MOSFET N-CHANNEL 55V 29A TO220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 AUIRFZ34N, MOSFET N-CHANNEL 55V 29A TO220AB
170 руб.
15 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 850 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
16.13мм
Размеры
10.75 x 4.83 x 16.13мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
31 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
700 пФ при -25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.