Мой регион: Россия

AUIRLR2905, MOSFET N-CH 55V 42A LOGIC HEXFET DPAK

Ном. номер: 8406396825
PartNumber: AUIRLR2905
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 AUIRLR2905, MOSFET N-CH 55V 42A LOGIC HEXFET DPAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 AUIRLR2905, MOSFET N-CH 55V 42A LOGIC HEXFET DPAK
410 руб.
62 шт. со склада г.Москва,
срок 1-2 недели
от 25 шт. — 110 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
86 руб. 2-3 недели, 1963 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 67 руб.
от 100 шт. — 66 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
110 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
6.22mm
Height
2.39mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 5 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V

Техническая документация

AUIRLR2905 datasheet
pdf, 269 КБ

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.