BAS21.215, Диод импульсный 30нс 200В 250мА [SOT-23]

Артикул: BAS21.215
PartNumber: BAS21,215
Ном. номер: 854365293
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BAS21.215, Диод импульсный 30нс 200В 250мА [SOT-23]
Фото 2/5 BAS21.215, Диод импульсный 30нс 200В 250мА [SOT-23]Фото 3/5 BAS21.215, Диод импульсный 30нс 200В 250мА [SOT-23]Фото 4/5 BAS21.215, Диод импульсный 30нс 200В 250мА [SOT-23]Фото 5/5 BAS21.215, Диод импульсный 30нс 200В 250мА [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Ожидается поступление на склад г.Москва: 29 сентября 2017 г. — 6 000 шт.
Возможна срочная доставка завтра
2 руб. × = 2 руб.
от 100 шт. — 1.20 руб.
от 1000 шт. — 1 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BAS21 from NXP is surface mounted high speed switching diodes in SOT-23 package. These are configured with single PN junction diode which works similar to switch and fabricated in planar technology.

• Maximum repetitive reverse voltage of 250V
• Power dissipation is 250mW
• Operating junction temperature of 150°C
• Non repetitive peak forward surge current is 9A
• Reverse recovery time of 50ns
• Forward voltage of 1.25V at IF 200mA

Технические параметры

Материал
кремний
Максимальное постоянное обратное напряжение, В
Максимальное импульсное обратное напряжение, В
250
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А
0.625
Максимальный обратный ток,мкА 25гр
0.1
Максимальное прямое напряжение,В
1.25
при Iпр.,А
0.2
Максимальное время обратного восстановления,мкс
Общая емкость Сд,пФ
5
Рабочая температура,С
-65…150
Способ монтажа
smd
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet BAS21.215 BAS21,215
Datasheet BAS21.215 BAS21,215
Типы корпусов импортных диодов