BC847BE6327HTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 250 МГц, 330 мВт, 100 мА, 200 hFE

BC847BE6327HTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 250 МГц, 330 мВт, 100 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8077819362
Артикул: BC847BE6327HTSA1
Производитель: Infineon Technologies
28 руб.
41815 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 24 руб.
от 100 шт. — 7.90 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1.90 руб. 3-4 недели, 42000 шт. 3000 шт. 6000 шт.
от 9000 шт. — 1.80 руб.
от 21000 шт. — 1.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC 847B E6327 is a NPN silicon Bipolar Transistor suitable for AF input stages and driver applications.

• High current gain
• Low collector-emitter saturation voltage
• Low noise between 30 and 15000Hz

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 330мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Частота Перехода ft 250МГц
Вес, г 0.033

Дополнительная информация

Datasheet BC847BE6327HTSA1

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.