BC52PA,115, Транзистор: PNP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8024652705

Артикул

BC52PA,115

Бренд

Collector Current (Ic)

DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)

63@150mA, 2V

Operating Temperature

Power Dissipation (Pd)

Transistor Type

Все параметры

pdf, 1702 КБ

Все документы

5 шт., срок 6-7 недель

87 руб.

Кратность заказа 5 шт.

5 шт. на сумму 435 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

63@150mA,2V SOT-1061 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Collector Current (Ic)	-
Collector Cut-Off Current (Icbo)	-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	63@150mA, 2V
Operating Temperature	-
Power Dissipation (Pd)	-
Transistor Type	-
Transition Frequency (fT)	145MHz
Brand:	Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	63
DC Current Gain hFE Max:	250
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity:	3000
Gain Bandwidth Product fT:	145 MHz
Manufacturer:	Nexperia
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	DFN2020-3
Part # Aliases:	934065817115
Pd - Power Dissipation:	420 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.02