BC546BTA, Биполярный транзистор, Small Signal, NPN, 65 В, 100 мА, 500 мВт, TO-92, Through Hole

Фото 1/5 BC546BTA, Биполярный транзистор, Small Signal, NPN, 65 В, 100 мА, 500 мВт, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
87 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.38 руб.
Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 610 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги9
Номенклатурный номер: 8000973736
Артикул: BC546BTA
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC546BTA is a 65V NPN Epitaxial Silicon Transistor used as switching and amplifier. This product is general usage and suitable for many different applications. It is complement to BC556, BC557, BC558, BC559 and BC560 switching and amplifier.

• High voltage
• 80V Collector base voltage (VCBO)
• 6V Emitter base voltage (VEBO)

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 65В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 500мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-92
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 300МГц
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 250 mV
Configuration Single
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 2000
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Height 5.33 mm
Length 5.2 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-92-3 Kinked Lead
Packaging Ammo Pack
Part # Aliases BC546BTA_NL
Pd - Power Dissipation 0.5 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series BC546
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.008466 oz
Width 4.19 mm
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Voltage 65 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 300 MHz
Maximum Power Dissipation 500 mW
Minimum DC Current Gain 110
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.24

Техническая документация

Datasheet
pdf, 297 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC549CTA
pdf, 314 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов