BC546BTF, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 4000 шт.
Кратность заказа 2000 шт.
от 16000 шт. —
9.60 руб.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 44 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum DC Current Gain | 110 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов