BC556ABU, Полевые транзисторы
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 руб.
Кратность заказа 1444 шт.
Добавить в корзину 1444 шт.
на сумму 23 104 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP -65V -100mA HFE/220
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | BC556 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 4.19 mm |
Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
Maximum DC Collector Current | -100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 111.1 |