BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -500 мА, 40 hFE

Фото 2/4 BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -500 мА, 40 hFEФото 3/4 BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -500 мА, 40 hFEФото 4/4 BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -500 мА, 40 hFE
Фото 1/4 BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -500 мА, 40 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8470933138
Артикул: BC807-25WT1G
Производитель: ON Semiconductor
21 руб.
8030 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 15 руб.
от 100 шт. — 7.10 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
19 руб. 6 дней, 6781 шт. 1 шт. 34 шт.
от 466 шт. — 4 руб.
от 931 шт. — 2.30 руб.
от 1861 шт. — 1.90 руб.
3 руб. 7 дней, 12000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 12000 шт. — 2 руб.
4.80 руб. 3-4 недели, 3200 шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 3.50 руб.
от 600 шт. — 3.30 руб.
от 2000 шт. — 3 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер -45В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Рассеиваемая Мощность 460мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора -500мА
DC Усиление Тока hFE 40hFE
Частота Перехода ft 100мгц
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.75
Package Height 0.85
Package Width 1.24
Package Length 2.1
Mounting Surface Mount
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Type PNP
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.7@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.5
Minimum DC Current Gain 40@500mA@1V|160@100mA@1V
Maximum Power Dissipation (mW) 460
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Supplier Temperature Grade Automotive
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SC-70
Standard Package Name SOT-323
Military No
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -0,7 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Length 2.2мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) -45 В
Максимальный непрерывный ток коллектора -500 мА
Тип корпуса SC-70
Maximum Power Dissipation 460 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.35мм
Тип транзистора PNP
Высота 0.9мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база -5 В
Размеры 2.2 x 1.35 x 0.9мм
Automotive Standard AEC-Q101
Конфигурация Одиночный
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 160
Вес, г 0.013

Дополнительная информация

Datasheet BC807-25WT1G
Datasheet BC807-25WT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.