BC817-40W.115

Фото 1/7 BC817-40W.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 1471 шт.
от 3000 шт.2.10 руб.
Добавить в корзину 1471 шт. на сумму 4 413 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8001779381
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор NPN, биполярный, 45В, 500мА, 250мВт, SOT23

Технические параметры

Корпус SC703
кол-во в упаковке 3000
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № 934021940115
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250 at 100 mA, 1 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC817
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Base Product Number BC817 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 45V
Maximum DC Collector Current 500mA
Pd - Power Dissipation 200mW
Brand Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 700 mV
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 250 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V
DC Current Gain hFE Max 250 at 100 mA at 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 10000
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Height 1 mm
Length 2.2 mm
Manufacturer Nexperia
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Part # Aliases /T3 BC817-40W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Transistor Polarity NPN
Width 1.35 mm
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 250
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323(SC-70)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.04

Техническая документация

BC817W_SER-1598709
pdf, 276 КБ
Datasheet
pdf, 274 КБ
Datasheet
pdf, 236 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 314 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов