BC817K-40HVL, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 775 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 934660225235 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | BC817 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Brand | Nexperia |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 700 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 500 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 250 |
DC Current Gain HFE Max | 600 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 10000 |
Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 775 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification | AEC-Q101 |
Series | BC817 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Collector Emitter Voltage Max | 45В |
DC Current Gain hFE Min | 250hFE |
DC Усиление Тока hFE | 250hFE |
Power Dissipation | 425мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | BC817KH |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 100МГц |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Frequency - Transition | 100MHz |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Part Status | Active |
Power - Max | 350mW |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.