BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE

Ном. номер: 8001692661
Артикул: BC846BLP4-7B
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/2 BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE
31 руб.
8645 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 13 руб.
от 250 шт. — 12 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
9 руб. 8 дней, 5200 шт. 100 шт. 100 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Линейка Продукции
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 мВ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
900 мВ
Длина
1.05мм
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Тип корпуса
X2-DFN1006
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
0.65мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Высота
0.35мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
450
Вес, г
0.005

Дополнительная информация

Datasheet BC846BLP4-7B

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.