BC846BM3T5G, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Кратность заказа 8000 шт.
от 32000 шт. —
5.30 руб.
Добавить в корзину 8000 шт.
на сумму 48 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 80V NPN
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 265 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.5 mm |
Длина | 1.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | BC846BM3 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet BC846BM3T5G
pdf, 99 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов