BC846BM3T5G, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

BC846BM3T5G, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Кратность заказа 8000 шт.
от 32000 шт.5.30 руб.
Добавить в корзину 8000 шт. на сумму 48 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003279417
Артикул: BC846BM3T5G

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 80V NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 265 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.5 mm
Длина 1.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 150
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 8000
Серия BC846BM3
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-723-3
Ширина 0.8 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet BC846BM3T5G
pdf, 99 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов