BC846BPDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363

Ном. номер: 8640678038
Артикул: BC846BPDW1T1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 BC846BPDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BC846BPDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363Фото 3/4 BC846BPDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363Фото 4/4 BC846BPDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363
30 руб.
2680 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 20 руб.
от 100 шт. — 9.80 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
19 руб. 6 дней, 10288 шт. 1 шт. 33 шт.
от 440 шт. — 4 руб.
от 879 шт. — 2.40 руб.
от 1758 шт. — 2 руб.
2.20 руб. 3-4 недели, 138000 шт. 3000 шт. 6000 шт.
от 57000 шт. — 1.80 руб.
5.60 руб. 3-4 недели, 8130 шт. 10 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 4.10 руб.
от 300 шт. — 3.80 руб.
от 1000 шт. — 3.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стандарты Автомобильной Промышленности
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Линейка Продукции
BCxxx Series
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В (NPN), -0,65 В (PNP)
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В (NPN), -0,9 В (PNP)
Длина
2мм
Transistor Configuration
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В, 80 В
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.25мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN, PNP
Высота
0.95мм
Число контактов
6
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В (PNP), 6 В (NPN)
Размеры
2.0 x 1.25 x 0.95мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200 (NPN), 200 PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 (NPN) V, -0.65 (PNP) V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 NPN V, -0.9 PNP V
Длина
2мм
Maximum Collector Base Voltage
-80 V, 80 V
Transistor Configuration
Изолированный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
65 В
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Maximum Power Dissipation
380 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Width
1.25мм
Maximum DC Collector Current
100 mA
Тип транзистора
NPN + PNP
Height
0.95мм
Число контактов
6
Dimensions
2.0 x 1.25 x 0.95mm
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 (PNP) V, 6 (NPN) V
Minimum DC Current Gain
200 (NPN), 200 PNP
Вес, г
0.163

Дополнительная информация

Datasheet BC846BPDW1T1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.