BC846DS,115, Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А 0,38Вт

Фото 1/3 BC846DS,115, Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А 0,38Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2635 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 122 шт.16 руб.
от 243 шт.14 руб.
от 485 шт.13 руб.
Добавить в корзину 23 шт. на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001909820
Артикул: BC846DS,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А 0,38Вт

Технические параметры

Корпус 6-TSOP
Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.1 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 300
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 200 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SC-74-6
Ширина 1.7 mm
Base Product Number BC846 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-74, SOT-457
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 6-TSOP
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet BC846DS,115
pdf, 634 КБ
Datasheet BC846DS.115
pdf, 653 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.