BC847ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 45 В, 100 МГц, 300 мВт, 100 мА, 100 hFE

Фото 2/3 BC847ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 45 В, 100 МГц, 300 мВт, 100 мА, 100 hFEФото 3/3 BC847ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 45 В, 100 МГц, 300 мВт, 100 мА, 100 hFE
Фото 1/3 BC847ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 45 В, 100 МГц, 300 мВт, 100 мА, 100 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8247645135
Артикул: BC847ALT1G
Производитель: ON Semiconductor
17 руб.
29180 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 12 руб.
от 100 шт. — 5.70 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1 руб. По запросу 1 шт. 2253 шт.
от 6000 шт. — 0.83 руб.
2.90 руб. 3-4 недели, 1380 шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 2.10 руб.
от 600 шт. — 1.90 руб.
9 руб. 3-4 недели, 20725 шт. 25 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 5 руб.
от 475 шт. — 2.40 руб.
от 2175 шт. — 2.04 руб.
13 руб. 4 дня, 16243 шт. 1 шт. 157 шт.
от 652 шт. — 2 руб.
от 1303 шт. — 1.40 руб.
от 3000 шт. — 1.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC847ALT1G is a 45V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.

• Halogen-free/BFR-free
• ESD rating - >4000V human body model, >400V machine model
• 50V Collector to base voltage (VCBO)
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 300мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Линейка Продукции BCxxx Series
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Length 3.04mm
Maximum Collector Base Voltage 50 V dc
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 2.64mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN
Height 1.11mm
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Dimensions 3.04 x 2.64 x 1.11mm
Minimum DC Current Gain 110
Вес, г 80

Дополнительная информация

Datasheet BC847ALT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.