BC847AQBZ, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 420 мВт, DFN1110D, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3235 шт., срок 8-10 недель
56 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 110hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 110hFE |
| Power Dissipation | 420мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BC847xQB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN1110D |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Pd - рассеивание мощности | 340 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 934660996147 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 at 2mA, 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA, 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN1110D-3 |
| Base Product Number | BC847 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Power - Max | 340mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | BC847xQB -> |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
