BC847BDW1T3G, Биполярный транзистор, Двойной NPN, 45 В, 100 МГц, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Ном. номер: 8357429905

Артикул: BC847BDW1T3G

Производитель: ON Semiconductor

33 руб.	4445 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
от 10 шт. — 28 руб. от 100 шт. — 4.60 руб. Кратность заказа 5 шт.

Показать альтернативные предложения > > >

Цена	Наличие	Кратность	Минимум
20 руб.	7 дней, 2250 шт.	50 шт.	50 шт.
от 1250 шт. — 6 руб.
3.70 руб.	3-5 недель, 410000 шт.	10000 шт.	10000 шт.
от 20000 шт. — 2.80 руб. от 50000 шт. — 2.70 руб.
6.60 руб.	5-6 недель, 9550 шт.	10 шт.	20 шт.
от 100 шт. — 5 руб.

Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Есть аналоги

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер	45В
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	380мВт
Полярность Транзистора	Двойной NPN
DC Ток Коллектора	100мА
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Частота Перехода ft	100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Number of Elements per Chip	2
Length	2mm
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Transistor Configuration	Isolated
Brand	ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Package Type	SOT-363 (SC-88)
Maximum Power Dissipation	380 mW
Mounting Type	Surface Mount
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Width	1.25mm
Maximum DC Collector Current	100 mA
Transistor Type	NPN
Height	0.95mm
Pin Count	6
Dimensions	2.0 x 1.25 x 0.95mm
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Minimum DC Current Gain	420
Вес, г	0.016

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.