BC847BM3T5G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 260 мВт, 100 мА, 200 hFE

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Ном. номер: 8540307331

Артикул: BC847BM3T5G

Производитель: ON Semiconductor

39 руб.	7565 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
от 10 шт. — 28 руб. от 100 шт. — 5.50 руб. Кратность заказа 5 шт.

Показать альтернативные предложения > > >

Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер	45В
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-723
Рассеиваемая Мощность	260мВт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	100мА
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Частота Перехода ft	100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Operating Frequency	100 МГц
Number of Elements per Chip	1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	0.9 V
Length	1.25мм
Maximum Collector Base Voltage	50 В
Transistor Configuration	Одинарный
Brand	ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Package Type	SOT-723
Maximum Power Dissipation	260 mW
Mounting Type	Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature	-50 °C
Width	0.85mm
Maximum DC Collector Current	100 мА
Transistor Type	NPN
Height	0.55мм
Pin Count	3
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Dimensions	1.25 x 0.85 x 0.55mm
Minimum DC Current Gain	200
Вес, г	3.316

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.