Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BC847BQBZ, Bipolar Transistors - BJT ...

BC847BQBZ, Bipolar Transistors - BJT BC847BQB/SOT8015/ DFN1110D-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13513 шт., срок 7-9 недель

71 руб.

от 10 шт. — 50 руб.

от 100 шт. — 20 руб.

от 1000 шт. — 11.42 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006236165

Артикул: BC847BQBZ

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	340 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	934660997147
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 2 mA, 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450 at 2 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	5000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	DFN1110D-3
Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	420мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BC847xQB
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	DFN1110D
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц
Вес, г	0.0016