BC847BTT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 450 hFE

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Ном. номер: 8086605425

Артикул: BC847BTT1G

Производитель: ON Semiconductor

21 руб.	5960 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
от 10 шт. — 18 руб. от 100 шт. — 6.10 руб. Кратность заказа 5 шт.

Показать альтернативные предложения > > >

Цена	Наличие	Кратность	Минимум
10 руб.	4 дня, 12150 шт.	1 шт.	191 шт.
от 389 шт. — 3 руб. от 777 шт. — 1.40 руб. от 1553 шт. — 1.10 руб.
4.80 руб.	5-6 недель, 2780 шт.	20 шт.	40 шт.
от 200 шт. — 3.60 руб.

Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер	45В
Стиль Корпуса Транзистора	SC-75
Рассеиваемая Мощность	200мВт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	100мА
DC Усиление Тока hFE	450hFE
Частота Перехода ft	100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.25 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Operating Frequency	100 МГц
Number of Elements per Chip	1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	0.9 V
Length	1.8мм
Maximum Collector Base Voltage	50 В
Transistor Configuration	Одинарный
Brand	ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Package Type	SOT-416 (SC-75)
Maximum Power Dissipation	200 mW
Mounting Type	Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature	-50 °C
Width	0.9мм
Maximum DC Collector Current	100 мА
Transistor Type	NPN
Height	0.9мм
Pin Count	3
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Dimensions	1.8 x 0.9 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain	200
Вес, г	1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.