BC847BTT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 450 hFE


* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 руб.
|
5960 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели |
|
от 10 шт. —
18 руб.
от 100 шт. —
6.10 руб.
Кратность заказа 5 шт.
|
Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
---|---|---|---|---|
10 руб. | 4 дня, 12150 шт. | 1 шт. | 191 шт. | |
от 389 шт. — 3 руб.
от 777 шт. — 1.40 руб.
от 1553 шт. — 1.10 руб.
|
||||
4.80 руб. | 5-6 недель, 2780 шт. | 20 шт. | 40 шт. | |
от 200 шт. — 3.60 руб.
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
Стиль Корпуса Транзистора | SC-75 |
Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 450hFE |
Частота Перехода ft | 100мгц |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.25 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Operating Frequency | 100 МГц |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 0.9 V |
Length | 1.8мм |
Maximum Collector Base Voltage | 50 В |
Transistor Configuration | Одинарный |
Brand | ON Semiconductor |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Package Type | SOT-416 (SC-75) |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Mounting Type | Поверхностный монтаж |
Minimum Operating Temperature | -50 °C |
Width | 0.9мм |
Maximum DC Collector Current | 100 мА |
Transistor Type | NPN |
Height | 0.9мм |
Pin Count | 3 |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Dimensions | 1.8 x 0.9 x 0.9mm |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.