Мой регион: Россия

BC847BVN-7

Ном. номер: 8188901825
PartNumber: BC847BVN-7
Производитель: Diodes Incorporated
BC847BVN-7
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
35 руб.
3080 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 33 руб.
от 100 шт. — 17 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
31 руб. 2-3 недели, 12000 шт. 50 шт. 50 шт.
от 150 шт. — 16 руб.
от 300 шт. — 15 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Small Signal Dual NPN/PNP Transistors, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 мВ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц (мин.)
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
700 мВ, 900 мВ
Длина
1.6мм
Transistor Configuration
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-563
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.2мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN, PNP
Высота
0.6мм
Число контактов
6
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
1.6 x 1.2 x 0.6мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.