BC847PN-7-F, Биполярный транзистор, NPN, PNP, 45 В, 300 МГц, 200 мВт, -100 мА, 290 hFE

Фото 2/2 BC847PN-7-F, Биполярный транзистор, NPN, PNP, 45 В, 300 МГц, 200 мВт, -100 мА, 290 hFE
Фото 1/2 BC847PN-7-F, Биполярный транзистор, NPN, PNP, 45 В, 300 МГц, 200 мВт, -100 мА, 290 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8631016020
Артикул: BC847PN-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
36 руб.
8005 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 100 шт. — 19 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
6 руб. 7 дней, 12200 шт. 100 шт. 100 шт.
7.80 руб. 3-4 недели, 990 шт. 10 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 5.80 руб.
от 300 шт. — 5.40 руб.
22 руб. 3-4 недели, 1510 шт. 10 шт. 10 шт.
от 190 шт. — 5.70 руб.
от 900 шт. — 4.96 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC847PN-7-F is a NPN-PNP complementary pair small signal Bipolar Transistor ideal for medium power amplification and switching. It has two internally isolated transistors in one package.

• UL94V-0 Flammability rating
• Epitaxial die construction
• Halogen-free, Green device
• -65 to 150°C Operating temperature range

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Полярность Транзистора NPN, PNP
DC Ток Коллектора -100мА
DC Усиление Тока hFE 290hFE
Частота Перехода ft 300МГц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 (NPN) V, -0.65 (PNP) V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 200 MHz
Number of Elements per Chip 2
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.9 (NPN) V, -0.95 (PNP) V
Length 2.2mm
Maximum Collector Base Voltage -50 V, 50 V
Transistor Configuration Isolated
Brand DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Package Type SOT-363 (SC-88)
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 1.35mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN + PNP
Height 1mm
Pin Count 6
Maximum Emitter Base Voltage -5 (PNP) V, 6 (NPN) V
Dimensions 2.2 x 1.35 x 1mm
Minimum DC Current Gain 220
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 (NPN) V, -0.65 (PNP) V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 200 MHz
Number of Elements per Chip 2
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.9 (NPN) V, -0.95 (PNP) V
Длина 2.2mm
Maximum Collector Base Voltage -50 V, 50 V
Конфигурация транзистора Изолированный
Brand DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Package Type SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности 200 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.35mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN + PNP
Высота 1мм
Pin Count 6
Размеры 2.2 x 1.35 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage -5 (PNP) V, 6 (NPN) V
Minimum DC Current Gain 220
Вес, г 0.008

Дополнительная информация

Datasheet BC847PN-7-F

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.