BC847PN-7-F, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 45В, 0,1А

Фото 1/4 BC847PN-7-F, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 45В, 0,1А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.9 руб.
от 300 шт.7.30 руб.
от 3000 шт.5.90 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 150 руб.
Номенклатурный номер: 8020560153
Артикул: BC847PN-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор биполярный NPN BC847PN-7-F от DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT363. С током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 0,2 Вт. Эти характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств в различных областях применения, где требуется надежность и эффективность. Используя BC847PN7F в вашем следующем проекте, вы получаете гарантию качества от известного производителя DIODES INCORPORATED, а также высокую производительность и долговечность компонента. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Монтаж SMD
Ток коллектора, А 0.1
Напряжение коллектор-эмиттер, В 45
Мощность, Вт 0.2
Корпус SOT363

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 45В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 290hFE
DC Усиление Тока hFE 290hFE
Power Dissipation 200мВт
Квалификация -
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN, PNP
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 300МГц
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
Configuration: Dual
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-363-6
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC847P
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN, PNP
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 200 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 200, 220
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363(SC-88)
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Type NPN/PNP
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 89 КБ
Datasheet BC847PN-7-F
pdf, 453 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов