BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 110 hFE

Фото 2/4 BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 110 hFEФото 3/4 BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 110 hFEФото 4/4 BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 110 hFE
Фото 1/4 BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 110 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8477234273
Артикул: BC848ALT1G
Производитель: ON Semiconductor
20 руб.
29965 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 16 руб.
от 100 шт. — 5.40 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
79 руб. 1325 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 40 руб.
от 5 шт. — 17 руб.
от 10 шт. — 8.60 руб.
3 руб. 7 дней, 13400 шт. 200 шт. 200 шт.
3 руб. 4 дня, 13764 шт. 1 шт. 483 шт.
от 966 шт. — 2.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 30В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 110hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Линейка Продукции BCxxx Series
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Length 3.04mm
Maximum Collector Base Voltage 30 V dc
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 2.64mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN
Height 1.11mm
Pin Count 3
Dimensions 3.04 x 2.64 x 1.11mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 110
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.75
PCB changed 3
Package Height 0.94
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.3
Package Length 2.9
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 110@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Pin Count 3
Standard Package Name SOT
Military No
Вес, г 0.033

Дополнительная информация

Datasheet BC848ALT1G
Datasheet BC848ALT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах