BC848CWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFE

Фото 2/3 BC848CWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFEФото 3/3 BC848CWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFE
Фото 1/3 BC848CWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8165115551
Артикул: BC848CWT1G
Производитель: ON Semiconductor
22 руб.
2315 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 19 руб.
от 100 шт. — 4 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2.70 руб. 3-5 недель, 21000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 9000 шт. — 2.60 руб.
21 руб. 3-4 недели, 33138 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 7.30 руб.
6.40 руб. 5-6 недель, 1880 шт. 1 шт. 20 шт.
от 25 шт. — 4.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 30В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 420hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.9 V
Length 2.2мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 30 V
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type SOT-323 (SC-70)
Maximum Power Dissipation 150 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.35mm
Maximum DC Collector Current 100 мА
Transistor Type NPN
Height 0.9мм
Pin Count 3
Dimensions 2.2 x 1.35 x 0.9mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Minimum DC Current Gain 270
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
PCB changed 3
Package Height 0.85
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.24
Package Length 2.1
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.6@5mA@100mA|0.25@0.5mA@10mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 420@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 150
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SC-70
Pin Count 3
Standard Package Name SOT-323
Military No
Вес, г 0.013

Дополнительная информация

Datasheet BC848CWT1G
Datasheet BC848CWT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах