BC849BLT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 290 hFE

Фото 2/5 BC849BLT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 290 hFEФото 3/5 BC849BLT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 290 hFEФото 4/5 BC849BLT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 290 hFEФото 5/5 BC849BLT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 290 hFE
Фото 1/5 BC849BLT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 290 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8873353555
Артикул: BC849BLT1G
Производитель: ON Semiconductor
15 руб.
22760 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 100 шт. — 4.90 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
11 руб. 4 дня, 14805 шт. 1 шт. 177 шт.
от 363 шт. — 3 руб.
от 726 шт. — 1.50 руб.
от 1451 шт. — 1.20 руб.
1.40 руб. 3-5 недель, 69000 шт. 3000 шт. 9000 шт.
5 руб. 7 дней, 12900 шт. 100 шт. 100 шт.
от 200 шт. — 4 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Moisture sensitivity level-1
• >4000V Human body model and >400V machine model - ESD rating

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 30В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 290hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0,9 В
Length 3.04мм
Maximum Collector Base Voltage 30 В пост. тока
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 В пост. тока
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 300 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN
Высота 1.01mm
Pin Count 3
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Automotive Standard AEC-Q101
Maximum Emitter Base Voltage 5 В пост. тока
Transistor Material Кремний
Minimum DC Current Gain 200
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
PCB changed 3
Package Height 0.94
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.3
Package Length 2.9
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Pin Count 3
Standard Package Name SOT
Military No
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,6 В
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0,9 В
Length 3.04мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 30 В пост. тока
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V dc
Package Type SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 100 мА
Тип транзистора NPN
Высота 1.01мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01мм
Automotive Standard AEC-Q101
Transistor Material Кремний
Minimum DC Current Gain 200
Вес, г 0.136

Дополнительная информация

Datasheet BC849BLT1G
Datasheet BC849BLT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.