BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFE

Фото 2/5 BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFEФото 3/5 BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFEФото 4/5 BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFEФото 5/5 BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFE
Фото 1/5 BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 420 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8810983441
Артикул: BC849CW,115
Производитель: Nexperia
26 руб.
5965 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 18 руб.
от 100 шт. — 11 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. 2444 шт. 1 шт. 1938 шт.
1.90 руб. 3-4 недели, 18000 шт. 3000 шт. 6000 шт.
18 руб. 7 дней, 19750 шт. 50 шт. 50 шт.
от 100 шт. — 7 руб.
5.30 руб. 3-4 недели, 1990 шт. 10 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 3.90 руб.
от 300 шт. — 3.60 руб.
от 1000 шт. — 3.30 руб.
10 руб. 4 дня, 1474 шт. 1 шт. 194 шт.
от 355 шт. — 2.10 руб.
от 709 шт. — 1.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC849CW, 115 is a NPN General Purpose Transistor in a plastic package. It is suitable for use in low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.

• PNP complements are BC859W and BC860W

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 30В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 420hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,6 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база 30 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 30 V
Тип корпуса UMT
Максимальное рассеяние мощности 200 mW
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора 100 mA
Тип транзистора NPN
Высота 1мм
Число контактов 3
Размеры 1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 420
Вес, г 1

Дополнительная информация

Datasheet BC849CW,115

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.