BC850BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE

Фото 2/3 BC850BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFEФото 3/3 BC850BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE
Фото 1/3 BC850BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8428816721
Артикул: BC850BLT1G
Производитель: ON Semiconductor
20 руб.
27865 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 17 руб.
от 100 шт. — 5.70 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
10 руб. 4 дня, 14517 шт. 1 шт. 206 шт.
от 414 шт. — 2 руб.
от 828 шт. — 1.20 руб.
от 1655 шт. — 1 руб.
3.60 руб. 5-6 недель, 4740 шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 2.80 руб.
9 руб. 3-4 недели, 4150 шт. 25 шт. 25 шт.
от 2050 шт. — 2.08 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.9 V
Length 3.04mm
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 50 V dc
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 225 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -50 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 100 мА
Transistor Type NPN
Height 1.11mm
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.11mm
Minimum DC Current Gain 200
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.94
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,6 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 0,9 В
Длина 3.04мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 50 V dc
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 45 В
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 225 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -50 °C
Ширина 1.4мм
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN
Высота 1.11mm
Число контактов 3
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.11mm
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Minimum DC Current Gain 200
Вес, г 1

Дополнительная информация

Datasheet BC850BLT1G
Datasheet BC850BLT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.