BC856ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -65 В, 100 МГц, 225 мВт, -100 мА, 100 hFE

Фото 2/3 BC856ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -65 В, 100 МГц, 225 мВт, -100 мА, 100 hFEФото 3/3 BC856ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -65 В, 100 МГц, 225 мВт, -100 мА, 100 hFE
Фото 1/3 BC856ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -65 В, 100 МГц, 225 мВт, -100 мА, 100 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8551943378
Артикул: BC856ALT1G
Производитель: ON Semiconductor
18 руб.
26210 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 12 руб.
от 100 шт. — 5.90 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. По запросу 1 шт. 2017 шт.
от 4600 шт. — 0.94 руб.
от 18000 шт. — 0.90 руб.
3.60 руб. 3-4 недели, 12540 шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 2.70 руб.
от 600 шт. — 2.50 руб.
от 2000 шт. — 2.40 руб.
12 руб. 6 дней, 22550 шт. 1 шт. 53 шт.
от 641 шт. — 2 руб.
от 1282 шт. — 1.40 руб.
от 3000 шт. — 1.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC856ALT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер -65В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора -100мА
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Линейка Продукции BCxxx Series
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type PNP
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 65
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 125@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT
Pin Count 3
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.94
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.9 V
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Voltage 65 V
Package Type SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Ширина 1.3mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Height 0.94mm
Dimensions 0.94 x 2.9 x 1.3mm
Minimum DC Current Gain 125
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.65 V
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.9mm
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Minimum Operating Temperature -55 °C
Transistor Type PNP
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Вес, г 0.151

Дополнительная информация

Datasheet BC856ALT1G
Datasheet BC856ALT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.