BC856S,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной PNP, -65 В, -100 мА, 220 мВт, 110 hFE

Фото 2/5 BC856S,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной PNP, -65 В, -100 мА, 220 мВт, 110 hFEФото 3/5 BC856S,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной PNP, -65 В, -100 мА, 220 мВт, 110 hFEФото 4/5 BC856S,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной PNP, -65 В, -100 мА, 220 мВт, 110 hFEФото 5/5 BC856S,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной PNP, -65 В, -100 мА, 220 мВт, 110 hFE
Фото 1/5 BC856S,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной PNP, -65 В, -100 мА, 220 мВт, 110 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11560 шт., срок 5-6 недель
30 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.23 руб.
от 100 шт.15 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 150 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8477806506
Артикул: BC856S,115
Производитель: Nexperia

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

• Low collector capacitance
• Low collector-emitter saturation voltage
• Closely matched current gain
• Reduces number of components and board space
• No mutual interference between the transistors

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер -65В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Рассеиваемая Мощность 220мВт
Полярность Транзистора Двойной PNP
DC Ток Коллектора -100мА
DC Усиление Тока hFE 110hFE
Transistor Mounting Surface Mount
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № BC856S T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-363-6
Ширина 1.35 mm
Base Product Number BC856 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package 6-TSSOP
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Вес, г 0.01

Дополнительная информация

Datasheet BC856S,115
Datasheet BC856S,115
Datasheet BC856S,115
Datasheet BC856S,115

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах