Мой регион: Россия

BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]

Ном. номер: 15040
Артикул: BC857BLT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]
Фото 2/5 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]Фото 3/5 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]Фото 4/5 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]Фото 5/5 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]
4 руб.
6850 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1 руб. По запросу 1 шт. 5000 шт.
от 9000 шт. — 0.87 руб.
от 18000 шт. — 0.84 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The BC857BLT1G is a -45V PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• -50V Collector to base voltage (VCBO)
• -5V Emitter to base voltage (VEBO)
• -200mADC Peak collector current
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус
Вес, г
0.05

Техническая документация

BC856-860
pdf, 62 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC857BLT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.