BC857BHZGT116, Транзистор: PNP

BC857BHZGT116, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10180 шт., срок 7 недель
15 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.11 руб.
от 300 шт.9 руб.
от 3000 шт.7.75 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8014889995
Артикул: BC857BHZGT116
Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 350 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № BC857BHZG
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 210
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 480
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 120 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet BC857BHZGT116
pdf, 1376 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.