BC857BW.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 1248 шт.
от 3000 шт. —
2.40 руб.
от 12000 шт. —
2.11 руб.
Добавить в корзину 1248 шт.
на сумму 3 744 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор биполярный BC857BW от производителя NXP представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23. С PNP типом проводимости и максимальным током коллектора 0,1 А, данный транзистор обеспечивает надёжную работу в электронных схемах. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 45 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах. Транзистор обладает мощностью 0,2 Вт, что делает его идеальным выбором для использования в низковольтных применениях. Продукт BC857BW отличается долговечностью и стабильностью, что подтверждается репутацией компании NXP как производителя надежных электронных компонентов. Код товара для удобства поиска и заказа - BC857BW115. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
| Мощность, Вт | 0.2 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Корпус | SC703 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 2.2 mm | |
| Другие названия товара № | BC857BW T/R | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA at 5 V | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA at 5 V | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 | |
| Ширина | 1.35 mm | |
| Base Product Number | BC857 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V | |
| ECCN | EAR99 | |
| Frequency - Transition | 100MHz | |
| HTSUS | 8541.21.0075 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 | |
| Power - Max | 200mW | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> | |
| Supplier Device Package | SOT-323 | |
| Transistor Type | PNP | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V | |
| Maximum DC Collector Current | 100mA | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 220 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-323(SC-70) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
