Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	220 at -2 mA, - 5 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	650 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	200 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC857B
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	45V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	200mW
Transistor Type	PNP
Maximum Collector Base Voltage	-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Frequency	200 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	220
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323(SC-70)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.02

BC857BW-7-F, Транзистор: PNP; биполярный

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация