BC857C

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

89 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 37 руб.

от 10 шт. — 20 руб.

от 100 шт. — 4.69 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 178 руб.

Номенклатурный номер: 8002012080

Электроэлемент

BC857C-E6433 Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 100мА; 330мВт; SOT23

Brand	Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Configuration	Single
Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	420
DC Current Gain hFE Max	800
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz
Height	1 mm
Length	2.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum DC Collector Current	200 mA
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape
Part # Aliases	BC857CE6327HTSA1 BC857CE6327XT SP000010640
Pd - Power Dissipation	330 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Qualification	AEC-Q100
RoHS	Details
Series	BC857
Transistor Polarity	PNP
Unit Weight	0.000282 oz
Width	1.3 mm
Вес, г	0.08