BC857CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Фото 1/4 BC857CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 125 шт.
от 1173 шт.3 руб.
от 3000 шт.2.10 руб.
от 6000 шт.1.80 руб.
Добавить в корзину 125 шт. на сумму 500 руб.
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8157531653
Артикул: BC857CLT1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Технические параметры

Корпус sot-23
Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 15nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 45V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 650mV@100mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 420@2mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 300mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 100MHz
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage -45 V
Maximum DC Collector Current -100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 420
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов