Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCM56DSF, Bipolar Transistors - BJT ...

BCM56DSF, Bipolar Transistors - BJT BCM56DS/SOT457/SC-74

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12963 шт., срок 7-9 недель

120 руб.

от 10 шт. — 92 руб.

от 100 шт. — 49 руб.

от 1000 шт. — 28.70 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005273734

Артикул: BCM56DSF

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BCM56DS SC-74

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	320 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	63
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	155 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	TSOP-6
Collector Emitter Voltage Max NPN	80В
Continuous Collector Current NPN	1А
DC Current Gain hFE Min NPN	63hFE
DC Ток Коллектора	1А
DC Усиление Тока hFE	0.95hFE
Power Dissipation NPN	400мВт
Transition Frequency NPN	155МГц
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	80В
Рассеиваемая Мощность	400мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TSOP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1