BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223]

Фото 2/6 BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223]Фото 3/6 BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223]Фото 4/6 BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223]Фото 5/6 BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223]Фото 6/6 BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223]
Фото 1/6 BCP53-16T1G, Транзистор PNP, 80В, 1А [SOT-223]
1497 шт. со склада г.Москва
14 руб.
от 50 шт.11 руб.
от 500 шт.9.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 9000406306
Артикул: BCP53-16T1G
Страна происхождения: МАЛАЙЗИЯ
Производитель: ON Semiconductor

Описание

BCP53-16T1G - это биполярный эпитаксиальный транзистор PNP на 80 В, разработанный для усилителей общего назначения. Он размещен в корпусе, предназначенном для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением. Пакет можно припаять волной или оплавлением. Формованные выводы поглощают термическое напряжение во время пайки, что исключает возможность повреждения матрицы.

• Без галогенов
• Дополнением к NPN является BCP56

Технические параметры

Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1,5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1,5
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 71 КБ
Datasheet
pdf, 72 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
BCP53 Series
pdf, 73 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах