BCP55.115

Фото 1/5 BCP55.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 руб.
Мин. кол-во для заказа 234 шт.
Добавить в корзину 234 шт. на сумму 3 744 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8001781286
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор маломощный

Технические параметры

Корпус TO261
кол-во в упаковке 1000
Pd - рассеивание мощности 960 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.7 mm
Длина 6.7 mm
Другие названия товара № BCP55 T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 63 at 5 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 180 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum DC Collector Current 1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 180 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 960 mW
Minimum DC Current Gain 63
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223(SC-73)
Pin Count 4
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.204

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 49 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов