BCP56-10HX, 100nA 80V 725mW 63@150mA,2V 1A 155MHz 500mV@500mA,50mA NPN +175-@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT

Фото 1/2 BCP56-10HX, 100nA 80V 725mW 63@150mA,2V 1A 155MHz 500mV@500mA,50mA NPN +175-@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8165 шт., срок 7 недель
58 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.33 руб.
от 150 шт.29 руб.
от 1000 шт.22.97 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015809752
Артикул: BCP56-10HX
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 80 V, 1 A NPN md power transistors

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2.2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 63
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 160
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 155 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP56
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-4
Base Product Number BCP56 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SOT-223-4
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 63hFE
DC Усиление Тока hFE 63hFE
Power Dissipation 2.2Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции BCP56H
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 155МГц
Вес, г 0.17

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1283 КБ
Datasheet BCP56-10HX
pdf, 1254 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.