BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]

Фото 2/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]Фото 3/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]Фото 4/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]Фото 5/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]Фото 6/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]Фото 7/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]Фото 8/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]
Фото 1/8 BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]
3701 шт. со склада г.Москва
12 руб.
от 50 шт.9.40 руб.
от 500 шт.8.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000616783
Артикул: BCP56-16T1G
Страна происхождения: МАЛАЙЗИЯ
Производитель: ON Semiconductor

Описание

NPN Bipolar Transistor, hFE 100 to 250
Корпус SOT-223, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 130
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1,5
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 69 КБ
Datasheet
pdf, 126 КБ
Datasheet
pdf, 73 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet BCP56-16T1G
pdf, 81 КБ
BCP56 Series
pdf, 73 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах