BCP56T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.5 Вт

Фото 1/3 BCP56T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.5 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
Добавить в корзину 23 шт. на сумму 483 руб.
Посмотреть аналоги20
Номенклатурный номер: 8838777405
Артикул: BCP56T1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.5 Вт

Технические параметры

Корпус SOT-223
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5 50mA 500mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum DC Collector Current (A) 1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1500
Maximum Transition Frequency (MHz) 130(Typ)
Minimum DC Current Gain 25 5mA 2V|25 500mA 2V|40 150mA 2V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -65 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-223
Tab Tab
Type NPN
Вес, г 0.85

Техническая документация

Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet BCP56T1G
pdf, 119 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов