Мой регион: Россия

BCR 112W H6327, Digital (2R) BJT NPN 50V

PartNumber: BCR 112W H6327
Ном. номер: 8000000783
Производитель: Infineon Technologies
BCR 112W H6327, Digital (2R) BJT NPN 50V
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 руб.
35000 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 500 шт.
Добавить в корзину 500 шт. на сумму 1 000 руб.
Dual Resistor Digital Transistors, Infineon
A range of bipolar junction transistors from Infineon equipped with integrated resistors allowing the devices to be directly driven from digital sources without additional components. Dual resistor devices have a series input resistor plus a resistor connected between the transistor base and emitter.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
1
Количество элементов на ИС
1
Длина
2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.25мм
Тип транзистора
NPN
Высота
0.8мм
Число контактов
3
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Типичный входной резистор
4,7 кΩ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.