BCV 62B E6327, Transistor BJT PNP Dual 3

PartNumber: BCV 62B E6327
Ном. номер: 8060370842
Производитель: Infineon Technologies
BCV 62B E6327, Transistor BJT PNP Dual 3
Доступно на заказ более 600 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
8 × = 960
Количество товаров должно быть кратно 120 шт.
от 240 шт. — 6.10 руб.
от 1200 шт. — 4.81 руб.

Описание

Current Mirror Transistors, Infineon
Matched dual NPN and PNP transistors with a common base connection for use as current mirror pairs.

Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Технические параметры

Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Максимальное напряжение коллектор-база
30 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Максимальный пост. ток коллектора
0.1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOT-143
Число контактов
4
Ширина
1.3mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
850 мВ
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-650 мВ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Тип транзистора
PNP
Материал транзистора
Кремний
Высота
1mm
Длина
2.9mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BCV62, PNP Silicon Double Transistor BCV 62B E6327