BCW60D,215, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 32 В, 250 МГц, 250 мВт, 100 мА, 380 hFE

Фото 2/3 BCW60D,215, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 32 В, 250 МГц, 250 мВт, 100 мА, 380 hFEФото 3/3 BCW60D,215, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 32 В, 250 МГц, 250 мВт, 100 мА, 380 hFE
Фото 1/3 BCW60D,215, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 32 В, 250 МГц, 250 мВт, 100 мА, 380 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8873579142
Артикул: BCW60D,215
Производитель: Nexperia
28 руб.
3875 шт.,
срок 5-6 недель
от 50 шт. — 20 руб.
от 100 шт. — 13 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. 2060 шт. 1 шт. 1534 шт.
66 руб. 3-4 недели, 12702 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 46 руб.
от 100 шт. — 22 руб.
от 500 шт. — 18.73 руб.
5.50 руб. 5-6 недель, 20 шт. 20 шт. 20 шт.
12 руб. 4 дня, 3044 шт. 1 шт. 169 шт.
от 335 шт. — 2.40 руб.
от 669 шт. — 1.70 руб.
9 руб. 7 дней, 3000 шт. 250 шт. 250 шт.
от 2500 шт. — 4.46 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BCW60D is a NPN General Purpose Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with general purpose switching and amplification.

• Low current
• Low voltage
• AD marking code

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 32В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 250мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 380hFE
Частота Перехода ft 250МГц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 550 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 250 MHz
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.05 V
Length 3мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 32 V
Brand Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage 32 V
Тип корпуса SOT23, TO-236AB
Максимальное рассеяние мощности 250 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -65 °C
Ширина 1.4mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN
Высота 1мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Размеры 3 x 1.4 x 1mm
Minimum DC Current Gain 100
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 550 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Максимальная рабочая частота 250 МГц
Number of Elements per Chip 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,05 В
Length 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 32 V
Brand Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage 32 V
Package Type SOT23, TO-236AB
Maximum Power Dissipation 250 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Width 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 100 mA
Transistor Type NPN
Height 1мм
Pin Count 3
Размеры 3 x 1.4 x 1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Minimum DC Current Gain 100
Вес, г 0.033

Дополнительная информация

Datasheet BCW60D,215

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах