BCW65CLT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 32 В, 100 МГц, 225 мВт, 800 мА, 100 hFE

Фото 2/2 BCW65CLT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 32 В, 100 МГц, 225 мВт, 800 мА, 100 hFE
Фото 1/2 BCW65CLT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 32 В, 100 МГц, 225 мВт, 800 мА, 100 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8774915902
Артикул: BCW65CLT1G
Производитель: ON Semiconductor
24 руб.
3530 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 18 руб.
от 100 шт. — 6.80 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
6 руб. 7 дней, 22500 шт. 250 шт. 250 шт.
2.60 руб. 3-5 недель, 3000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
6 руб. 5-6 недель, 17660 шт. 10 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 4.50 руб.
от 300 шт. — 4.20 руб.
от 1000 шт. — 3.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 32В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 800мА
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.3 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 2 В пост. тока
Length 3.04mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V dc
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 32 V
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 225 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -50 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 800 mA
Transistor Type NPN
Height 1.11mm
Pin Count 3
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.11mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Minimum DC Current Gain 100
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.3 V dc
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 V dc
Длина 3.04мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 60 V dc
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 32 V
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 225 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -50 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 800 mA
Transistor Type NPN
Высота 1.11mm
Pin Count 3
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.11mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Minimum DC Current Gain 100
Вес, г 4.536

Дополнительная информация

Datasheet BCW65CLT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах