BCW65CLT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 32 В, 100 МГц, 225 мВт, 800 мА, 100 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
24 руб.
|
3530 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели |
|
|
от 10 шт. —
18 руб.
от 100 шт. —
6.80 руб.
Кратность заказа 5 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 6 руб. | 7 дней, 22500 шт. | 250 шт. | 250 шт. | |
| 2.60 руб. | 3-5 недель, 3000 шт. | 3000 шт. | 3000 шт. | |
| 6 руб. | 5-6 недель, 17660 шт. | 10 шт. | 20 шт. | |
|
от 100 шт. — 4.50 руб.
от 300 шт. — 4.20 руб.
от 1000 шт. — 3.90 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 32В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 800мА |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Частота Перехода ft | 100мгц |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.3 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Frequency | 100 МГц |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 2 В пост. тока |
| Length | 3.04mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Minimum Operating Temperature | -50 °C |
| Width | 1.4мм |
| Maximum DC Collector Current | 800 mA |
| Transistor Type | NPN |
| Height | 1.11mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.11mm |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 В |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.3 V dc |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 V dc |
| Длина | 3.04мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 60 V dc |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 225 mW |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Minimum Operating Temperature | -50 °C |
| Width | 1.4мм |
| Maximum DC Collector Current | 800 mA |
| Transistor Type | NPN |
| Высота | 1.11mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.11mm |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 В |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Вес, г | 4.536 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
