BCW65CLT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23

Фото 1/4 BCW65CLT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 руб.
Номенклатурный номер: 8021262771
Артикул: BCW65CLT1G

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 60 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 32 V
Maximum DC Collector Current 800 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 225 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 2@50mA@500mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@50mA@500mA|0.3(Typ)@10mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 32
Maximum DC Collector Current (A) 0.8
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum DC Current Gain 80@100uA@10V|180@10mA@1V|250@100mA@1V|100@500mA@2V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Type NPN
Вес, г 4.536

Техническая документация

Datasheet
pdf, 73 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 182 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов