BCW65CLT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 руб.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V |
Maximum DC Collector Current | 800 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 225 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 2@50mA@500mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)@50mA@500mA|0.3(Typ)@10mA@100mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 32 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.8 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
Minimum DC Current Gain | 80@100uA@10V|180@10mA@1V|250@100mA@1V|100@500mA@2V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Type | NPN |
Вес, г | 4.536 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов