BCW66HVL, 45V 250mW 250@100mA,1V 800mA NPN SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/3 BCW66HVL, 45V 250mW 250@100mA,1V 800mA NPN SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 шт., срок 7 недель
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.8 руб.
от 300 шт.6.70 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8020038744
Артикул: BCW66HVL
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 934070943235
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 600
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 800 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 450 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 800 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number BCW66 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 5ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Collector Emitter Voltage Max 45В
Continuous Collector Current 800мА
DC Current Gain hFE Min 250hFE
DC Усиление Тока hFE 250hFE
Power Dissipation 250мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции BCW66
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 100МГц
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 295 КБ
Datasheet BCW66HVL
pdf, 294 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.